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. EUV 极紫外光刻机
全球ASML 独家垄断,国内无商用整机、无产线导入能力,无替代方案,是 7nm/5nm/3nm 先进制程的核心瓶颈。
现状:上海微电子仅在研发原型机,2026 年仅进入验证阶段,距离量产、商用至少 3–5 年。
国产化率:0%
2. 高端电子束检测 EBI、高端宏观缺陷检测
先进制程(14nm 及以下)必备良率设备,全球由应用材料、KLA垄断。
现状:国内仅能做成熟制程光学检测,先进节点 EBI 电子束缺陷扫描、关键尺寸量测完全无法商用,国产化率<5%。
3. 高端 OCD 光学轮廓量测设备
用于晶体管、沟槽、薄膜三维形貌精密量测,先进制程刚需。
现状:国内无商用整机,完全依赖 KLA、日立,属于先进制程 “隐形卡脖子” 设备。
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