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回复：IGBT与可控硅的区别

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普通如何晋级?

发布于 2012-11-01 08:40:25

5楼

quote:以下是引用kdrjl在2012-11-01 08:34:18的发言：

quote:以下是引用江汉之珠在2012-11-01 07:57:49的发言：
可控硅是半控器件，加正电压同时给门控电压时导通，关断则反电压即可。
IGBT是全控器件，仅栅极既可以控其通断。

这是仅仅是它们二者的特性之一。二者还有一个显著的特性区别：可控硅的开关速度很低，IGBT的很高。可以脉宽调制控制，可控硅不行。只能做移相触发。

以前一直都不知道。

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guzhang

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