quote:以下是引用禾好在2014-02-17 21:25:23的发言:
不光是预充电的问题啊(这个也要了解一下充电电阻阻值才行,要算一下),还有SLM环流的形成也会受到影响。简单的说,SLM不是经典的IGBT四象限整理,整流的模式更像可控硅整流中的小环流系统(逻辑无环流大家知道哈),且环流只跟反桥(如果二极管是正桥)的导通角有关,环流过大容易造成逆变颠覆。这个也是要跟400讨论一下的,至少出现什么故障不会被评价为使用不当(毕竟样本里有最大电容值的要求)。楼主的SLM系统,里面还有不少未考虑因素呢。
哦,现在的SLM是IGBT整流+回馈的(并联的二极管整流,IGBT回馈)。没有问题。不怕环流。前提条件是,不要输入和输出并联应用(这是我的个人认识)。就是安全的。
你的提示很好,封精奖励。能够用原理来分析方案的可行性。我喜欢...。