楼主好！
您提到的“ 哦，现在的SLM是IGBT整流+逆变的。没有问题。不怕环流。前提条件是，不要输入和输出并联应用（这是我的个人认识）。就是安全的。”

分析起来很复杂，需要的相关知识较多，我们慢慢谈吧。
1.先谈谈ALM（主动前端），它的工作原理是基于直流升压电路。粘不了给描述下：电源+接电感1端，电感2端接二极管阳极，电感2端和二极管阳极的共点接开关3端，开关4端接电源-，电源-和二极管阴极接电容为输出。当开关闭合是电感抑制di/dt，同时储能，当储能未结束是放开开关，电感感生电势经二极管和电容进行续流，续流能量没有释放回路，被积聚于电容。因此升压。后面就好解释了，交流电源可以视为无数个瞬时的直流电源，单相电源变换变更为三相电源变换。开关器件主动动作，控制依赖于电感前端的每个瞬时直流电平，AFE。
特点：直流电压高于进线线电压的最大值。
2.SLM需要反方向分析了。
装置的输出特点：直流电压介于线电压有效值1.35倍与根号2倍之间。AFE是不能正常工作的。那么SLM的工作原理到底是新技术、还是在已有技术上融入了新的器件应用？
新技术到底为何目前西门子网站和官方资料查不到，我在想已有技术中是否能够实现SLM的控制效果。找到了，“可控硅错位无环流可逆系统”。控制方法是工作时整流桥按阿尔法区分配触发角，逆变桥分配对应直流电压+偏置的贝塔区触发角。理想状态整流桥和逆变桥通过变压器形成的环流在0A。偏置向180度增加，0A。偏置想0度方向增加，由于两桥之间配置环流电抗器，环流电流随偏置递增。
下面就是IGBT实现“可控硅错位无环流可逆系统”（也称”小环流可逆系统）的可行性啦。续流二极管代替正桥（相当于晶闸管0度触发），没问题；IGBT代替反桥，从导通关断特性上看，没问题；中间的环流电抗器怎么办，我给的推断是通过高频斩波进行感抗等效。（这个大家给看看啦！）。
好了，控制是已有控制，用新的器件，下面就需要验证了。验证的预期是空载时，SLM有电流显示（SLM电流采样在交流侧）。结果：发现R29显示30A无功电流（装置500kW），跟400支持咨询，工作状态正常。结论：除其它新技术外，SLM可能采用已有技术。

楼主先看看分析过程有无不当之处。另外，也可将您的控制推断描述一下，我也学习学习。