我看到了一个很有意思的讨论。因此特封精鼓励一下。

第一次看到，对于直流母线的预充电问题，有定量计算解析的讨论。挺过瘾的。感谢楼上各位大侠的精彩共享。

我也简述下我的认识：

第一；如果是可控硅整流器做共母线电源。他有两个反馈闭环控制，外环是直流母线电压调节，有斜坡函数发生器做阶跃给定的缓冲；内环是电流调节，有电流反馈的截止控制。以保证充电过程的电流限幅截止特性。这两个环节的调节，从定性角度分析，直流母线的充电过程不会出现损坏整流器的过电流事故（针对可控硅整流而言，不是二极管的整流器）。因为前述的充电过程也是du/dt的电压加速上升过程，这个过程可以导致充电电流逐渐下降的。所以只要充电电压是斜坡上升，整个的充电过程就是平滑的。除非是不可控的阶跃给定充电电压，才有可能出现瞬间的过电流。

第二，dv/dt难道与△V / △t 不是一回事吗？我认为他们说的是一回事。dv就是增量的电压；dt就是增量的时间。dv/dt就是在单位时间内电压的变化量。

第三，由上述的讨论，对于多逆变器并联直流母线的系统，就不要再搞什么带电的切头控制了，如果工艺需要，那就不要共母线控制，而是分别的控制，从可靠性而言，从电路的合理性，也是分开控制的好。没有那些预充电电路的零碎和麻烦。大家用变频器，是不是有体会，预充电电路最脆弱呢？要炸也是他先炸掉的。

既然看帖，就要回帖，以表示真诚。