恭喜,你发布的帖子
发布于 2017-12-05 11:43:02
4楼
和IGBT没啥关系。是电容自身的损害问题。
知道什么是Q值么?
就楼主提供的数据,这个电容的谐振频率是降低为原装的0.6倍。
顺着Y版的提示又深入学习了一下,分享出来供大家指正
品质因数Q:表征一个储能器件(如电感线圈、电容等)、谐振电路所储能量同每周损耗能量之比的一种质量指标。元件的Q值愈大,用该元件组成的电路或网络的选择性愈佳。Q值越高,损耗越小,效率越高;
理论上,一个“完美”的电容器应该表现为ESR和ESL为零,纯容抗性的无阻抗组件。不论何种频率,电流通过电容时都会比电压提前正好90度的相位。实际上,电容是不完美的,会或多或少存在一定值的ESR和ESL。
Q值等于电容的容抗除以等效串联电阻(ESR)。Q值随频率变化而有很大的变化,这是由于电抗和电阻都随着频率而变。频率或者容量的改变会使电抗有着非常大的变化,因此Q值也会跟着发生很大的变化。
回到我们讨论的问题
ESL越大,电容器的容抗就越小(尤其是高频时),那么Q值就越小,效率就越低,损耗就越大,电容发热就越多,温升就越高,寿命会降低,造成损坏。
谐振频率
f = 1 / (2*PI*Sqrt(ESL*C))
ESL越大,谐振频率越低
精华帖版主置评:问题描述很清晰,明确。kdrjl
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