没乱啊。

1、永久存储区也就是Flash，也就是闪存芯片，类似SSD存储颗粒，可读可写，速度比内存RAM慢太多。

2、RAM是内存，也就是像电脑的内存条，速度与CPU一样快，保证程序可以飞快的运行交换数据。RAM包含其他很多编程软件中可以直接操作的单元，比如V区、比如L区、比如计数器C、定时器T等等等.....

3、数据块是初始值，编译时是保存在Flash里面的，也就是永久存储区。上电后就从Flash里面读取到RMA里面对应的V区存储单元。

4、掉电保持类似数据块操作，是指掉电时把指定掉电保持的V区存储单元数据保存到Flash中，上电后再把数据复制回指定的V区存储单元。

如果你懂单片机，没有什么不好理解的，基本上大多数单片机编程后涉及到这些数据操作。

至于永久存储只是个相对的说法，相对与RAM来说，Flash掉电后数据可保持的时间比RAM时间长太多太多。

一般以前的ROM是靠紫外线辅助擦写的，只要没有静电破坏、没有紫外光破坏，里面的数据可以保持几十年不变。

EEPROM是电擦写存储器，数据可以保持十几年；

接着是Flash，常温防静电下保持十年不是问题；

然后常温下SSD的SLC可以十年保持、MLC 5年、TLC 3年、QLC 3年以内。如果温度超过35度存储时间减半以上。

至于机械硬盘，这个就要看各个器件的寿命了。常温下十几年不是问题。

不过嘛，电子产品总有个废品概率问题，所以以上都是设计参数。那些低几率的不做参考。