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恭喜，你发布的帖子
发布于 2020-06-23 11:27:13
12楼
这么看来，smart的V区断电保持不是依靠超级电容或者电池，而是断电时直接写入到EEPROM中。
实际上就两个区域，一个EEPROM，一个是RAM。EEPROM就是所说的永久存储区
引用10楼详细内容：
200 Smart 和 200的描述确实不一样。
引用8楼详细内容：
你看的是哪本手册？
特意去下载了英文版的，看来200还是和我之前的理解是一致的，和1200/1500不太一样。
编程的时候，你可以给DB编辑初始值，这些值和你的程序一起下载到EEPROM，就是你图中的“永久存储器”，上电后，程序块和DB块都需要调用到RAM中。
你的截图的说法和我看到的英文版的说明不一致，它说的是先验证是否数据丢失，如果没有丢失，只是清楚非保持区域，并没有从永久存储器到RAM这一步，只有在没有设置断电保持或者电容/电池失效后才会执行这个操作。
根据我实际测试的结果看，应该是这样的。
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