引用18楼详细内容：

可承受的di/dt和短时过流不是一回事呀。

di/dt只是表示了该器件的开关性能。

导致IGBT损坏的还是过热。而过热则是由过电流导致的。

IGBT并没有给出一个确定的应用电流。而是说某温度下的某电流的时间（标称），超过的 需要停止的时间。其实就是要其充分散热。通常可用最大电流是标称的两倍。

关键是要让结温别超过规定阈值。

为啥当代的那些7合一的IGBT模块不爱坏，是因为它将测温元件植入在模块芯片内了。

单只模块只能靠散热片外的贴片测温。相对测量。若散热器油渍、积尘致散热不良、多次过标称电流，加上当前环境温度，叠加导致结温过高。（贴片还未到极限，内核已经超过。）

在我认知中，用于三相脉冲激励的 一个标称100A的IGBT，它瞬间最大电流200A ；如果当DC开关用（不关闭），它仅能当30A的用。

引用17楼详细内容：

另外，我不认为“冲击性”负荷会导致变频器故障率过高。这个“冲击性”再大，也大不过IBGT可承受的di/dt。我印象中，6SE70的转矩响应时间是3ms上下。这个响应时间应付轧钢的冲击，小菜一碟，无关痛痒。