你好!我们的系统是扩容的,用的是70箱的7018-6DS22,(用1Q改4Q).正组是四并联,(共24个可控硅).反组是二并联,(共12个可控硅).触发脉冲用的是脉冲放大器.每个可控硅是3000V,900A.我们正常轧制时是2000-2500A,但是我们用了弱磁调速,在电流在2000A时,弱磁就开始增大了,直到满磁.转速降很大!!!,基本上是在基速.

我们功率柜共炸了二次,第一次是惨不忍睹,整个功率柜一片狼籍,当时是怀疑可控硅击穿后(到现在也不知可控硅为什么穿),快熔质量不好,瓷瓶炸开了,引起交流短路,弧光引发了一系列反应.(我们交流侧只是在桥臂上有快熔,再向上就是变压器,再向上是变电所真空开关),最后真空开关跳了,电网电压都有波动了.用了近20个小时恢复,但仅隔了9小时,又一次放炮,这次就都没底了,不敢再用了,开始怀疑70箱或脉冲放大器有问题,最后决定换70箱,用了三天时间,一直到现在,时有个别快熔坏,我们可控硅只到大于100K就使用,(100K是用万用表量出来的,用摇表能达到7-8M),现在我们都提心吊胆的,不知道什么时候就来一下.
我们也和领导说过,功率柜隐患太大,要求换掉,但是老板不同意.完了出事就扣钱!就是.....
就我个人想法是:1.功率柜可控硅质量有问题,但是我们没有什么检测手段.
2.70箱调节设置参数没优化好.
3.无负荷平衡.
4.一个桥的4个可控硅无分流电抗器.