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回复:关于进线电抗器的选型

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普通如何晋级?

发布于 2007-09-11 16:06:51

0楼

个人觉得针对超强的dv/dt、di/dt应该从两个途经入手吧：
1.在可控硅方面：选择适当的开关频率，使di/dt和dv/dt限制在一个容许范围内；采取强脉冲触发，前沿一定要陡，使可控硅初始导通面积尽可能大；增大驱动电路的时间常数，以减少器件开通和关断时间，降低di/dt和dv/dt。
2.设计电抗器时，除了电参数计算的正确外，还要选择合适的高矩形比磁芯，合理设计铜线的截面以减少铜损，都对降低功耗、减小电抗器发热是有利的。

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guzhang

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