电容式：传感器由一个可动电极（测量膜片）和两个固定电极形成的差动电容组成，为了实现过载保护和防止腐蚀，两侧压力引入处还设计有隔离膜片，传感器焊接成一个整体。最早在Rosemount 1151变送器上使用，由于技术成熟、原理简单，我国企业通过引进消化，目前已掌握了生产制造技术，并广泛应用于变送器中，这是我国自主知识产权变送器中生产量最大，产值最高，应用最成功的产品。电容式传感器的最大优点是过载能力强，温度影响小（对称互补），缺点是电隔离性差，精度较低，长期稳定性较差。近几年Rosemount对传统1151式电容传感器进行了全面改进，推出了一体式共面电容传感器。该传感器的隔离膜片位于传感器模块底部，成共面型，不需要传统的夹紧法兰，清洗十分方便；测量膜片与传感器模块金属体进行了电气隔离，增强了传感器的电隔离性；再加上精密的加工和焊接技术，有效克服了精度和稳定性方面的缺点，性能十分优越。
硅压阻式：这种传感器在硅基底上，加工了四个压敏电阻，构成惠斯通电桥，电桥可检测压力和温度的变化。新型的硅传感器已向复合型发展，单晶硅基底除生成传统压阻传感器外，还集成了温度传感器和静压传感器（即附加一个电桥式压力传感器）。硅传感器的显著优点是传感器芯片加工容易，可方便地生成复合传感芯片，同时电子型传感器的精度高，长期稳定性好，无迟滞性；缺点是硅元件受温度影响大，特别对传感器灵敏度（量程）影响较大，过载能力差，低压测量困难。由于其传感芯片需要象电容传感器那样通过膜片隔离，这就对机械加工、焊接和传递液封灌技术提出了较高要求。展会上展出和应用该类型传感器的产品多如牛毛，但传感器模块（由芯片和隔离膜片组成），特别是三膜片差压式传感器模块，整体性能优良的却不是很多。国内厂家受机械加工等工艺的限制，其传感器模块性能与国外还有较大差距。目前，国内外基于这种传感器的变送器生产厂家最多，销量最大。国外，ABB、Honeywell、Siemens、Endress+Hauser和Foxbolo等公司的变送器都以这种传感器为主，近年Rosemount也推出了类似产品；国内，几乎所有变送器厂家都有基于硅压阻传感器的产品，但由于硅压阻差压传感器生产困难，以及温度补偿技术落后，产品普遍是压力型，并且是模拟式和低档次居多。
硅谐振式：这种传感器由硅基底和硅谐振梁组成。谐振梁呈“H”形，上面扩散有电阻层，两侧互相绝缘，并各自连接有振荡线圈。基底硅膜片未受压时，谐振梁以其固有的谐振频率做等幅振荡，受力后，谐振频率正比与压力变化，从而实现压力检测。该类传感器是Yokokawa的专利，目前仅在该公司变送器上使用，不仅具有硅元件的优点，同时其独特的V/F转换原理对温度不敏感，使其性能得到显著提高。
硅电容式：对称的差动电容被刻蚀到单晶硅片上，压力使硅片弯曲，电容器两极间的距离发生了改变，传感器的电容值相应的也变了。这种传感器兼有电容式和硅传感器的优点，国内外都是研究热点，并有相关产品，如富士、沈阳传感器研究所等都在研究生产，具有很大发展前景。
陶瓷电容式：传感器基底和膜片都采用陶瓷，衬底和膜片电极构成电容，中间无传递液，压力直接作用在陶瓷膜片上。其优点是安装位置无影响，无污染，抗腐蚀性好、温漂小、过载能力强，可测量低微压力；缺点差压传感器制作困难。该类传感器在主流变送器厂商产品结构中，主要用于压力和特殊应用场合。
陶瓷压阻式：厚膜惠斯通电桥印刷在陶瓷膜片的背面，压力直接加在陶瓷膜片前面，中间无传递液。除过载能力较差外，其优缺点与陶瓷电容式基本一致。