quote:以下是引用zcomin在2009-12-17 20:03:48的发言:
功率部分应该是可控硅,对于逆变颠覆可以加装CCP保护,IGBT不能做直流吧,翻新有必要,采用新的元器件成本更低,新的结构,更可靠,新的软件,调试更方便,可以图形化调试。
应该标配了DP接口,有PN接口可选。
嘿嘿,谢谢回复!
CCP的保护是在直流回路的IGBT保护吗?还是快熔保护?IGBT既然可以做成交流的AFE,为什么不能做成直流呢?变通一下,应该没问题的。就像交流的可控硅的整流回馈单元是直流装置变通的一样嘛。
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